供应如何对多晶硅进行清洗

能源问题正日益成为世界性问题，我国在太阳能光伏产业的核心技术已良好于世界水平，而用于太阳能的主要材料——多晶硅，它的清洗洁净程度直接影响到太阳能电池的成品率和性能。用超声波清洗的目的主要是清除多晶硅表面的沾污，如微粒，**物，无机金属离子、氧化层等杂质。多晶硅表面吸附杂质的主要原因是，多晶硅表面原子垂直向上的化学键被破坏成为悬空键，在多晶硅表面形成自由力场，较易吸附各种杂质。这些杂质和多晶硅之间迅速形成化学吸附，难以去除。在生产多晶硅的生产工艺过程中，其中的一个重要环节，是采用超声波清洗应用技术。

需要清洗的范围有：
    炉前（RCA）清洗：扩散前清洗 
    光刻后清洗：除去光刻胶。
 
　　氧化前自动清洗：氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。 
　　抛光后自动清洗：除去切、磨、抛的沾污。 
　　外延前清洗：除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。 
　　合金前、表面钝化前清洗：除去铝布线后，表面杂质及光胶残渣。 
　　离子注入后的清洗：除去光刻胶，SiO2层。 
　　扩散预淀积后清洗：除去预淀积时的BSG和PSG。 
　　CVD后清洗：除去CVD过程中的颗粒。 

　　附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。
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